Seguimos tensando los límites de lo posible, cada vez más pequeño y cada vez más poderoso. Esta vez le tocó el turno a las memorias Flash NAND, que fueron las protagonistas de el anuncio que dimos en Intel junto a Micron Technology Inc.
La novedad es que gracias a la tecnología de proceso de silicio de 25 nanómetros, se produjo el dispositivo NAND más pequeño y con mayor capacidad de la industria. Ya se enviaron muestras del producto inicial a clientes selectos y esperamos estar en plena producción a finales de año.
El nuevo dispositivo de 3bpc (3 bits por celda) con 64 Gb de memoria y tecnología de proceso de 25 nm ofrece una mayor eficiencia de costos y una mayor capacidad de almacenamiento para la competitiva tarjeta flash USB - SD (Secure Digital) y los mercados de electrónica de consumo.
Para qué se usa la memoria flash? principalmente para almacenar datos, fotos y contenidos multimedia diverso en cámaras, reproductores y computadoras portátiles, segmento que crece sin pausa y necesita de soluciones poderosas y económicas para seguir avanzando.
En cuanto a sus características centrales, el dispositivo de 3bpc almacena tres bits de información por celda, en comparación con la capacidad más reducida de las tradicionales de un bit ("Single-Level Cell") o dos bits (Multi-Level Cell). La industria también se refiere a la 3bpc como "Triple-Level Cell" (TLC.)
Les dejo un video de Micron, donde se pueden apreciar detalles del nuevo desarrollo conjunto.
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